以CdS、CuInS2、CuInSe2为代表的硫族半导体薄膜材料在薄膜太阳能电池、光电导体，传感器中具有重要应用，但通常软化学法沉积制备的薄膜通常需要在高温（400℃以上），在H2S、H2Se真空或惰性气氛中进行热处理，设备昂贵且工艺复杂。本发明提供了一种在硫或硒离子水溶液中进行水热处理的方法来改善薄膜晶型和提高光电性能。该方法设备简单，处理条件温和，用于多孔太阳能电池中可保护纳米孔状电极的结构完整性，是一种新的、有发展前景的绿色薄膜热处理工艺。本专利可用来制备太阳能光电薄膜，具有耗材少、设备及制备工艺简单、薄膜寿命长、制备无污染、反应物容易回收等特点，预计以此技术制备的薄膜太阳能电池成本仅为单晶硅电池的1/5。
